蒸鍍材料_Evaporation_Material_矽晶圓背面金屬化

矽晶圓背面金屬化:
晶圓半導體元件的製作於矽晶圓背面鍍上金屬膜層, 以便後續的封裝作業,主要以蒸鍍製程:
常用材料為 鈦Ti, 鎳 Ni, 銀Ag 等金屬j為金屬膜層,銲接層: 金錫AuSn,金鋅AuZn可降低銲接的熔點.常用的耗材包括:Mo/W 坩堝,石英晶體 (Quartz Crystal), 主要有 5MHz 及 6MHz 用於監測膜厚.

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學術及研發單位研究開發蒸鍍顆粒

材質依英文字母序分為:

矽晶圓背面金屬化

Ti, Ni, Ag , AuSn, AuZn

發光二極體 機發光二極體

Al, Ti, Ni, Ag, Au, ITO (95/5), AuGe, AuBe, AuAs, AuZn, AuSn, SiO2,ITO Tablet, Al Wire, IZO

鍍膜用單晶基板

Si Wafer / Glass/ GaP/ Sapphire, GaP/ InP/ GaSb/ InSb/ InAs/ AlN/ MgF2/ CaF2 

蒸鍍材料-純元素:

貴金屬: Au, Ag, Pt, Ir, Pd...高純金屬: In, Ta, Sn, Cu, Al...

蒸鍍材料-合金:

TiW, TiAl, NiTa, NiV, NiCr, NiTi, InSn, Pt/Ir, Au/Ag, PbSn, CrSi, AgSn

蒸鍍材料-化合物:

Oxides, Nitrides, Sulfides, Fluorides, Carbides, Borides

│High Purity Materials 高純度材料│